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IDT71V65903S85PF

IDT71V65903S85PF

僅供參考

型號 IDT71V65903S85PF
PNEDA編號 IDT71V65903S85PF
描述 IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 5,616
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IDT71V65903S85PF資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IDT71V65903S85PF
類別半導體內存IC內存

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IDT71V65903S85PF規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
內存大小9Mb (512K x 18)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間8.5ns
電壓-供電3.135V ~ 3.465V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱100-LQFP
供應商設備包裝100-TQFP (14x14)

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時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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系列

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

45ns

電壓-供電

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安裝類型

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內存類型

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內存格式

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技術

EPROM - OTP

內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

90ns

電壓-供電

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內存類型

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內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

512Kb (32K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

12ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, QDR II+

內存大小

36Mb (2M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

550MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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