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IDV05S60CXKSA1

IDV05S60CXKSA1

僅供參考

型號 IDV05S60CXKSA1
PNEDA編號 IDV05S60CXKSA1
描述 DIODE SCHOTTKY 600V 5A TO220-2FP
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,526
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IDV05S60CXKSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IDV05S60CXKSA1
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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IDV05S60CXKSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolSiC™+
二極管類型Silicon Carbide Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)5A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.7V @ 5A
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢復時間(trr)0ns
當前-反向泄漏@ Vr70µA @ 600V
電容@ Vr,F240pF @ 1V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2 Full Pack
供應商設備包裝PG-TO220-2 Full Pack
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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電流-平均整流(Io)

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500mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

250µA @ 30V

電容@ Vr,F

65pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

100ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 1200V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

140ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 400V

電容@ Vr,F

12.5pF @ 4V, 1MHz

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當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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安裝類型

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