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IDW12G65C5FKSA1

IDW12G65C5FKSA1

僅供參考

型號 IDW12G65C5FKSA1
PNEDA編號 IDW12G65C5FKSA1
描述 DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO247-3
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,192
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IDW12G65C5FKSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IDW12G65C5FKSA1
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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IDW12G65C5FKSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolSiC™+
二極管類型Silicon Carbide Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)650V
電流-平均整流(Io)12A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.7V @ 12A
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢復時間(trr)0ns
當前-反向泄漏@ Vr500µA @ 650V
電容@ Vr,F360pF @ 1V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝PG-TO247-3-41
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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500mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 40V

電容@ Vr,F

50pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 35V

電容@ Vr,F

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當前-反向泄漏@ Vr

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 240V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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