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IDW24G65C5BXKSA2

IDW24G65C5BXKSA2

僅供參考

型號 IDW24G65C5BXKSA2
PNEDA編號 IDW24G65C5BXKSA2
描述 DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO247-3
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,838
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IDW24G65C5BXKSA2資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IDW24G65C5BXKSA2
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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IDW24G65C5BXKSA2規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolSiC™+
二極管類型Silicon Carbide Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)650V
電流-平均整流(Io)12A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.7V @ 12A
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢復時間(trr)0ns
當前-反向泄漏@ Vr190µA @ 650V
電容@ Vr,F360pF @ 1V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝PG-TO247-3
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

50pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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1.7V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

17pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 220V

電容@ Vr,F

3pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 40V

電容@ Vr,F

200pF @ 40V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

4pF @ 4V, 1MHz

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