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IDW30E60FKSA1

IDW30E60FKSA1

僅供參考

型號 IDW30E60FKSA1
PNEDA編號 IDW30E60FKSA1
描述 DIODE GEN PURP 600V 60A TO247-3
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,760
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IDW30E60FKSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IDW30E60FKSA1
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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IDW30E60FKSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)60A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果2V @ 30A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)143ns
當前-反向泄漏@ Vr40µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247-3
工作溫度-結點-40°C ~ 175°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

8pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 80V

電容@ Vr,F

300pF @ 5V, 1MHz

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.55V @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

60ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

6pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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1.15V @ 1.5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 1000V

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