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IDWD20G120C5XKSA1

IDWD20G120C5XKSA1

僅供參考

型號 IDWD20G120C5XKSA1
PNEDA編號 IDWD20G120C5XKSA1
描述 SIC SCHOTTKY 1200V 20A TO247-2
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,568
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IDWD20G120C5XKSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IDWD20G120C5XKSA1
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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IDWD20G120C5XKSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolSiC™+
二極管類型Silicon Carbide Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1200V
電流-平均整流(Io)62A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.65V @ 20A
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢復時間(trr)0ns
當前-反向泄漏@ Vr166µA @ 1200V
電容@ Vr,F1368pF @ 1V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-2
供應商設備包裝PG-TO247-2
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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1.15V @ 1.5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

20pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 40V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

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