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IGB20N65S5ATMA1

IGB20N65S5ATMA1

僅供參考

型號 IGB20N65S5ATMA1
PNEDA編號 IGB20N65S5ATMA1
描述 IGBT PRODUCTS
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,232
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IGB20N65S5ATMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IGB20N65S5ATMA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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IGB20N65S5ATMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列*
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電流-集電極脈沖(Icm)-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic-
功率-最大-
開關能量-
輸入類型-
門禁費用-
25°C時的Td(開/關)-
測試條件-
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

電流-集電極脈沖(Icm)

430A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

6V @ 15V, 20A

功率-最大

417W

開關能量

23mJ (on), 2.6mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

425nC

25°C時的Td(開/關)

33ns/370ns

測試條件

1500V, 20A, 3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

864ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

10A

電流-集電極脈沖(Icm)

24A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 3A

功率-最大

50W

開關能量

30µJ (on), 58µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

14nC

25°C時的Td(開/關)

14ns/33ns

測試條件

480V, 3A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

45ns

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

25A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 25A

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

160nC

25°C時的Td(開/關)

60ns/230ns

測試條件

600V, 25A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

電流-集電極脈沖(Icm)

60A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 15A

功率-最大

259W

開關能量

550µJ (on), 850µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

226nC

25°C時的Td(開/關)

26ns/122ns

測試條件

600V, 15A, 22Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

270ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

電流-集電極脈沖(Icm)

60A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.2V @ 15V, 15A

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