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IGW50N65F5FKSA1

IGW50N65F5FKSA1

僅供參考

型號 IGW50N65F5FKSA1
PNEDA編號 IGW50N65F5FKSA1
描述 IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,784
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IGW50N65F5FKSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IGW50N65F5FKSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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IGW50N65F5FKSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列TrenchStop®
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)80A
電流-集電極脈沖(Icm)150A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 50A
功率-最大305W
開關能量490µJ (on), 160µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用120nC
25°C時的Td(開/關)21ns/175ns
測試條件400V, 25A, 12Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝PG-TO247-3

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

電流-集電極脈沖(Icm)

30A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 10A

功率-最大

30W

開關能量

180µJ (on), 130µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

24nC

25°C時的Td(開/關)

12ns/91ns

測試條件

400V, 10A, 30Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

263ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-220

制造商

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系列

-

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

當前-集電極(Ic)(最大值)

400A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

105A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.65V @ 15V, 20A

功率-最大

64W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

84nC

25°C時的Td(開/關)

60ns/193ns

測試條件

300V, 20A, 30Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

24A

電流-集電極脈沖(Icm)

45A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.2V @ 15V, 15A

功率-最大

200W

開關能量

3.27mJ (on), 600µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

120nC

25°C時的Td(開/關)

90ns/310ns

測試條件

600V, 15A, 20Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

330ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-3P-3, SC-65-3

供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

電流-集電極脈沖(Icm)

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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門禁費用

178nC

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