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IKB03N120H2ATMA1

IKB03N120H2ATMA1

僅供參考

型號 IKB03N120H2ATMA1
PNEDA編號 IKB03N120H2ATMA1
描述 IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO220-3
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,984
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IKB03N120H2ATMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IKB03N120H2ATMA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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IKB03N120H2ATMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)9.6A
電流-集電極脈沖(Icm)9.9A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.8V @ 15V, 3A
功率-最大62.5W
開關能量290µJ
輸入類型Standard
門禁費用22nC
25°C時的Td(開/關)9.2ns/281ns
測試條件800V, 3A, 82Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)42ns
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝PG-TO263-3-2

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

8A

電流-集電極脈沖(Icm)

15A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 5A

功率-最大

60W

開關能量

88µJ (on), 107µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

16nC

25°C時的Td(開/關)

13ns/34ns

測試條件

300V, 5A, 40Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

55ns

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

128A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 30A

功率-最大

278W

開關能量

1.18mJ (on), 200µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

47nC

25°C時的Td(開/關)

26ns/71ns

測試條件

400V, 30A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

137ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

TO-247

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制造商

Infineon Technologies

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

電流-集電極脈沖(Icm)

45A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 15A

功率-最大

110W

開關能量

2.7mJ

輸入類型

Standard

門禁費用

85nC

25°C時的Td(開/關)

50ns/520ns

測試條件

600V, 15A, 56Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

140ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

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-

IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.82V @ 15V, 30A

功率-最大

235.8W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

45ns/85ns

測試條件

400V, 30A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

140ns

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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