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IKQ50N120CH3XKSA1

IKQ50N120CH3XKSA1

僅供參考

型號 IKQ50N120CH3XKSA1
PNEDA編號 IKQ50N120CH3XKSA1
描述 IGBT HS SW 1200V 50A TO-247-3
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,660
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IKQ50N120CH3XKSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IKQ50N120CH3XKSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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IKQ50N120CH3XKSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)100A
電流-集電極脈沖(Icm)200A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.35V @ 15V, 50A
功率-最大652W
開關能量3mJ (on), 1.9mJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用235nC
25°C時的Td(開/關)34ns/297ns
測試條件600V, 50A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝PG-TO247-3-46

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

42A

電流-集電極脈沖(Icm)

80A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 24A

功率-最大

80W

開關能量

240µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

55nC

25°C時的Td(開/關)

15ns/75ns

測試條件

480V, 24A, 18Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

25ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Infineon Technologies

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Infineon Technologies

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

24A

電流-集電極脈沖(Icm)

48A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.85V @ 15V, 12A

功率-最大

140W

開關能量

75µJ (on), 225µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

25nC

25°C時的Td(開/關)

31ns/83ns

測試條件

400V, 12A, 22Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

68ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

D2PAK

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系列

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

電流-集電極脈沖(Icm)

500A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 100A

功率-最大

830W

開關能量

1.7mJ (on), 1mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

370nC

25°C時的Td(開/關)

40ns/120ns

測試條件

400V, 80A, 1Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

60A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.85V @ 15V, 20A

功率-最大

348W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

208nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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