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IMN10T108

IMN10T108

僅供參考

型號 IMN10T108
PNEDA編號 IMN10T108
描述 DIODE ARRAY GP 80V 100MA 6SMD
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,694
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 29 - 十二月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IMN10T108資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IMN10T108
類別半導體二極管與整流器整流器-數組

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IMN10T108規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
二極管配置3 Independent
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)80V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)100mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.2V @ 100mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)4ns
當前-反向泄漏@ Vr100nA @ 70V
工作溫度-結點150°C (Max)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-74, SOT-457
供應商設備包裝6-SMD

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1400V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 150A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

工作溫度-結點

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

150A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

690mV @ 150A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10mA @ 35V

工作溫度-結點

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 600A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 1600V

工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

85ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

工作溫度-結點

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安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.28V @ 1000A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

30mA @ 1200V

工作溫度-結點

-40°C ~ 150°C

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