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IMT17T110

IMT17T110

僅供參考

型號 IMT17T110
PNEDA編號 IMT17T110
描述 TRANS 2PNP 50V 0.5A 6SMT
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,794
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IMT17T110資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IMT17T110
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
IMT17T110, IMT17T110數據表 (總頁數: 3, 大小: 58.95 KB)
PDFIMT17T208數據表 封面
IMT17T208數據表 頁面 2 IMT17T208數據表 頁面 3

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IMT17T110規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型2 PNP (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic600mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce120 @ 100mA, 3V
功率-最大300mW
頻率-過渡200MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-74, SOT-457
供應商設備包裝SMT6

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Central Semiconductor Corp

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2 PNP (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

135 @ 1mA, 5V

功率-最大

600mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

-

安裝類型

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包裝/箱

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Renesas Electronics America Inc.

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5 NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 50mA, 3V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

450MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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晶體管類型

2 NPN (Dual) Matched Pair

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

-

頻率-過渡

-

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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晶體管類型

2 PNP Darlington (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

120V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 2mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

3000 @ 1A, 5V

功率-最大

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