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IMT4T108

IMT4T108

僅供參考

型號 IMT4T108
PNEDA編號 IMT4T108
描述 TRANS 2PNP 120V 0.05A 6SMT
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 42,102
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IMT4T108資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IMT4T108
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列

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IMT4T108規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型2 PNP (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)50mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)120V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)500nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce180 @ 2mA, 6V
功率-最大300mW
頻率-過渡140MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-74, SOT-457
供應商設備包裝SMT6

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

420 @ 2mA, 5V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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功率-最大

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1mA, 6V

功率-最大

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