IMW120R045M1XKSA1
僅供參考
| 型號 | IMW120R045M1XKSA1 |
| PNEDA編號 | IMW120R045M1XKSA1 |
| 描述 | COOLSIC MOSFETS 1200V |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 6,966 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸) |
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IMW120R045M1XKSA1資源
| 品牌 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| 制造商零件編號 | IMW120R045M1XKSA1 |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-FET，MOSFET-單 |
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IMW120R045M1XKSA1規格
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 系列 | CoolSiC™ |
| FET類型 | N-Channel |
| 技術 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 1.2kV |
| 電流-25°C時的連續漏極（Id） | 52A (Tc) |
| 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） | 15V |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 59mOhm @ 20A, 15V |
| Vgs（th）（最大）@ ID | 5.7V @ 10mA |
| 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs | 52nC @ 15V |
| Vgs（最大） | +20V, -10V |
| 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds | 1.9nF @ 800V |
| FET功能 | - |
| 功耗（最大值） | 228W (Tc) |
| 工作溫度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 安裝類型 | Through Hole |
| 供應商設備包裝 | PG-TO247-3-41 |
| 包裝/箱 | TO-247-3 |
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