IMW120R350M1HXKSA1
僅供參考
| 型號 | IMW120R350M1HXKSA1 |
| PNEDA編號 | IMW120R350M1HXKSA1 |
| 描述 | COOLSIC MOSFETS 1200V |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 7,776 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 四月 27 - 五月 2 (選擇加急運輸) |
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IMW120R350M1HXKSA1資源
| 品牌 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| 制造商零件編號 | IMW120R350M1HXKSA1 |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-FET，MOSFET-單 |
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IMW120R350M1HXKSA1規格
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 系列 | CoolSiC™ |
| FET類型 | N-Channel |
| 技術 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 1.2kV |
| 電流-25°C時的連續漏極（Id） | 4.7A (Tc) |
| 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） | 15V, 18V |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 455mOhm @ 2A, 18V |
| Vgs（th）（最大）@ ID | 5.7V @ 1mA |
| 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs | 5.3nC @ 18V |
| Vgs（最大） | +23V, -7V |
| 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds | 182pF @ 800V |
| FET功能 | - |
| 功耗（最大值） | 60W (Tc) |
| 工作溫度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 安裝類型 | Through Hole |
| 供應商設備包裝 | PG-TO247-3-41 |
| 包裝/箱 | TO-247-3 |
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