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IPA060N06NXKSA1

IPA060N06NXKSA1

僅供參考

型號 IPA060N06NXKSA1
PNEDA編號 IPA060N06NXKSA1
描述 MOSFET N-CH 60V TO220-3
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,174
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPA060N06NXKSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPA060N06NXKSA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IPA060N06NXKSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)45A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)6V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs6mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.3V @ 36µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs32nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2500pF @ 30V
FET功能-
功耗(最大值)33W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PG-TO220-FP
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

7.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.8mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

64nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3250pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

69.4W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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PowerPAK® SO-8

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制造商

Infineon Technologies

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

26A (Ta), 85A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.8mOhm @ 26A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3440pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.6W (Ta), 42W (Tc)

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

790mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

92nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5120pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

190W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

27A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 31µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

630pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

75W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

650mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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-

功耗(最大值)

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