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IPA50R250CPXKSA1

IPA50R250CPXKSA1

僅供參考

型號 IPA50R250CPXKSA1
PNEDA編號 IPA50R250CPXKSA1
描述 MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 11,328
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPA50R250CPXKSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPA50R250CPXKSA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IPA50R250CPXKSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)13A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs250mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.5V @ 520µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs36nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1420pF @ 100V
FET功能Super Junction
功耗(最大值)33W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PG-TO220-FP
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

53A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

610nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

24000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

735W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

SOT-227-4, miniBLOC

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

28V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1760pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.9A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

250mOhm @ 1.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 270µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13.9nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

420pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.8W (Ta), 5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2Ohm @ 3.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1100pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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