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IPA60R600C6XKSA1

IPA60R600C6XKSA1

僅供參考

型號 IPA60R600C6XKSA1
PNEDA編號 IPA60R600C6XKSA1
描述 MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-FP
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,932
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPA60R600C6XKSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPA60R600C6XKSA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IPA60R600C6XKSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7.3A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs600mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.5V @ 200µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs20.5nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds440pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)28W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PG-TO220-FP
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

500mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5Ohm @ 200mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

40pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

830mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

74A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.1mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.5nC @ 4.5V

Vgs(最大)

+16V, -12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1220pF @ 12.5V

FET功能

-

功耗(最大值)

3W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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包裝/箱

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Texas Instruments

制造商

系列

NexFET™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

45A (Ta), 100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.5mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1880pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

107W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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