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IPA60R800CEXKSA1

IPA60R800CEXKSA1

僅供參考

型號 IPA60R800CEXKSA1
PNEDA編號 IPA60R800CEXKSA1
描述 MOSFET N-CH 600V TO-220-3
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,436
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPA60R800CEXKSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPA60R800CEXKSA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IPA60R800CEXKSA1, IPA60R800CEXKSA1數據表 (總頁數: 16, 大小: 1,190.22 KB)
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IPA60R800CEXKSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolMOS™ CE
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.6A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs800mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.5V @ 170µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs17.2nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds373pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)27W (Tc)
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PG-TO220-FP
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

440mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

42nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17.2nC @ 5V

Vgs(最大)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

300mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

950pF @ 10V

FET功能

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功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14Ohm @ 200mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Vgs(最大)

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