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IPB038N12N3GATMA1

IPB038N12N3GATMA1

僅供參考

型號 IPB038N12N3GATMA1
PNEDA編號 IPB038N12N3GATMA1
描述 MOSFET N-CH 120V 120A TO263-3
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,750
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPB038N12N3GATMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPB038N12N3GATMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IPB038N12N3GATMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)120V
電流-25°C時的連續漏極(Id)120A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.8mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 270µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs211nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds13800pF @ 60V
FET功能-
功耗(最大值)300W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

14.5A (Ta), 124A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 11.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4490pF @ 12V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.43W (Ta), 107W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

-

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

950mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

53nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1110pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

30W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.3mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

156nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

12200pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

375W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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