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IPB260N06N3GATMA1

IPB260N06N3GATMA1

僅供參考

型號 IPB260N06N3GATMA1
PNEDA編號 IPB260N06N3GATMA1
描述 MOSFET N-CH 60V 27A TO263-3
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,598
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPB260N06N3GATMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPB260N06N3GATMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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IPB260N06N3GATMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)27A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs25.7mOhm @ 27A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 11µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs15nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1200pF @ 30V
FET功能-
功耗(最大值)36W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

165mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 10V

Vgs(最大)

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Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

42nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1190pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 5.9W (Tc)

工作溫度

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

139nC @ 10V

Vgs(最大)

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