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IPB60R520CPATMA1

IPB60R520CPATMA1

僅供參考

型號 IPB60R520CPATMA1
PNEDA編號 IPB60R520CPATMA1
描述 MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-263
制造商 Infineon Technologies
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庫存 3,384
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPB60R520CPATMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPB60R520CPATMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IPB60R520CPATMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6.8A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs520mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs31nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds630pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)66W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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300V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

36A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

110mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

70nC @ 10V

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2250pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

TO-263 (IXTA)

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10.7mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 93µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

80nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2075pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

158W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3Ohm @ 1.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

360pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 42W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.1A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

44mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

53nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1783pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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功耗(最大值)

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