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IPB70N04S406ATMA1

IPB70N04S406ATMA1

僅供參考

型號 IPB70N04S406ATMA1
PNEDA編號 IPB70N04S406ATMA1
描述 MOSFET N-CH 40V 70A TO263-3-2
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,802
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 22 - 十一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPB70N04S406ATMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPB70N04S406ATMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IPB70N04S406ATMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)70A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs6.2mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 26µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs32nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2550pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)58W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PG-TO263-3-2
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

550mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.7V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4Ohm @ 300mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.6nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

187.3pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

630mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

98A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

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FET類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31nC @ 5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Ta), 63A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12.4mOhm @ 37A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

72nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3152pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.6W (Ta), 114W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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