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IPB80P04P4L06ATMA1

IPB80P04P4L06ATMA1

僅供參考

型號 IPB80P04P4L06ATMA1
PNEDA編號 IPB80P04P4L06ATMA1
描述 MOSFET P-CH TO263-3
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,484
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 16 - 十一月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPB80P04P4L06ATMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPB80P04P4L06ATMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IPB80P04P4L06ATMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)80A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs6.4mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.2V @ 150µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs104nC @ 10V
Vgs(最大)±16V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds6580pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)88W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PG-TO263-3-2
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

68A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

20V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

34mOhm @ 50A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 15mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

161nC @ 20V

Vgs(最大)

+20V, -5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2790pF @ 1000V

FET功能

-

功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.8mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1660pF @ 12V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.3W (Ta), 52W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

41nC @ 10V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2090pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

83W (Tc)

工作溫度

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