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IPC042N03L3X1SA1

IPC042N03L3X1SA1

僅供參考

型號 IPC042N03L3X1SA1
PNEDA編號 IPC042N03L3X1SA1
描述 MOSFET N-CH 30V 1A SAWN ON FOIL
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,552
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPC042N03L3X1SA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPC042N03L3X1SA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IPC042N03L3X1SA1規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1A (Tj)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs50mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度-
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝Sawn on foil
包裝/箱Die

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

20V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

200mOhm @ 10A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

57nC @ 20V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

870pF @ 800V

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4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

114nC @ 10V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4780pF @ 15V

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

37nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1710pF @ 30V

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57W (Tc)

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5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 1.5A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.93nC @ 5V

Vgs(最大)

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