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IPC26N12NX2SA1

IPC26N12NX2SA1

僅供參考

型號 IPC26N12NX2SA1
PNEDA編號 IPC26N12NX2SA1
描述 MOSFET N-CH 120V SAWN WAFER
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,164
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPC26N12NX2SA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPC26N12NX2SA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IPC26N12NX2SA1規格

制造商Infineon Technologies
系列*
FET類型-
技術-
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度-
安裝類型-
供應商設備包裝-
包裝/箱-

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.5mOhm @ 21A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.25V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1210pF @ 15V

FET功能

-

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.7Ohm @ 950mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

235pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 44W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

36nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1245pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

52W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 36.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

394nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5500pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

417W (Tc)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.7mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33.7nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2164pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.7W (Ta), 79W (Tc)

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