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IPC60R165CPX1SA4

IPC60R165CPX1SA4

僅供參考

型號 IPC60R165CPX1SA4
PNEDA編號 IPC60R165CPX1SA4
描述 MOSFET N-CH BARE DIE
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,200
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPC60R165CPX1SA4資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPC60R165CPX1SA4
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IPC60R165CPX1SA4規格

制造商Infineon Technologies
系列*
FET類型-
技術-
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度-
安裝類型-
供應商設備包裝-
包裝/箱-

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

200mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5Ohm @ 100mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.51nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

47pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

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制造商

Renesas Electronics America

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.4mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

92nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.8W (Ta), 88W (Tc)

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.9A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 5A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 5V

Vgs(最大)

±13V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.8W (Ta), 8.3W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

22A (Ta), 113A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.9nC @ 4.5V

Vgs(最大)

+16V, -12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1300pF @ 12.5V

FET功能

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功耗(最大值)

3.1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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3mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

83nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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