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IPC95R1K2P7X7SA1

IPC95R1K2P7X7SA1

僅供參考

型號 IPC95R1K2P7X7SA1
PNEDA編號 IPC95R1K2P7X7SA1
描述 MOSFET N-CH BARE DIE
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,222
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPC95R1K2P7X7SA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPC95R1K2P7X7SA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IPC95R1K2P7X7SA1規格

制造商Infineon Technologies
系列*
FET類型-
技術-
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度-
安裝類型-
供應商設備包裝-
包裝/箱-

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.4mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

450nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

23600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

36A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.7nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

670pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

47W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

170mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

3V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8Ohm @ 150mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±40V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

25pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

360mW (Ta)

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

53mOhm @ 3.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.5nC @ 8V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

400pF @ 10V

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10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

46mOhm @ 13.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1015pF @ 25V

FET功能

-

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