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IPD025N06NATMA1

IPD025N06NATMA1

僅供參考

型號 IPD025N06NATMA1
PNEDA編號 IPD025N06NATMA1
描述 MOSFET N-CH 60V 26A TO252-3
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 24,984
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPD025N06NATMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPD025N06NATMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IPD025N06NATMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)90A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)6V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.5mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.8V @ 95µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs71nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5200pF @ 30V
FET功能-
功耗(最大值)3W (Ta), 167W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PG-TO252-3
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Ta), 40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

3.1W (Ta), 25W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

7.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.2mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

128nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

11150pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

375W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2Ohm @ 1.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

685pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

110W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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