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IPD06P005LSAUMA1

IPD06P005LSAUMA1

僅供參考

型號 IPD06P005LSAUMA1
PNEDA編號 IPD06P005LSAUMA1
描述 MOSFET P-CH TO252-3
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,596
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 28 - 四月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPD06P005LSAUMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPD06P005LSAUMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IPD06P005LSAUMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6.5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs250mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 270µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs13.8nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds420pF @ 30V
FET功能-
功耗(最大值)28W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PG-TO252-3-313
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

400mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2nC @ 10V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

82pF @ 16V

FET功能

-

功耗(最大值)

500mW (Ta)

工作溫度

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安裝類型

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

16.2A (Ta), 40.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.7mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25.5nC @ 10V

Vgs(最大)

+20V, -16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

985pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.2W (Ta), 19.8W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

150mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

322pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

36W (Tc)

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-55°C ~ 175°C (TJ)

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

104A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 54A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

130nC @ 5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5000pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

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