IPD096N08N3GBTMA1
僅供參考
型號 | IPD096N08N3GBTMA1 |
PNEDA編號 | IPD096N08N3GBTMA1 |
描述 | MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3 |
制造商 | Infineon Technologies |
單價 | 請求報價 |
庫存 | 7,524 |
倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
預計交貨 | 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸) |
Guarantee | 可達壹年的[PNEDA-Warranty]* |
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IPD096N08N3GBTMA1資源
品牌 | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
制造商零件編號 | IPD096N08N3GBTMA1 |
類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-FET,MOSFET-單 |
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IPD096N08N3GBTMA1規格
制造商 | Infineon Technologies |
系列 | OptiMOS™ |
FET類型 | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
漏極至源極電壓(Vdss) | 80V |
電流-25°C時的連續漏極(Id) | 73A (Tc) |
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On(Max)@ Id,Vgs | 9.6mOhm @ 46A, 10V |
Vgs(th)(最大)@ ID | 3.5V @ 46µA |
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs | 35nC @ 10V |
Vgs(最大) | ±20V |
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds | 2410pF @ 40V |
FET功能 | - |
功耗(最大值) | 100W (Tc) |
工作溫度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
安裝類型 | Surface Mount |
供應商設備包裝 | PG-TO252-3 |
包裝/箱 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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