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IPD25N06S4L30ATMA2

IPD25N06S4L30ATMA2

僅供參考

型號 IPD25N06S4L30ATMA2
PNEDA編號 IPD25N06S4L30ATMA2
描述 MOSFET N-CH 60V 25A TO252-3
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 44,364
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPD25N06S4L30ATMA2資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPD25N06S4L30ATMA2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IPD25N06S4L30ATMA2規格

制造商Infineon Technologies
系列Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)25A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs30mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.2V @ 8µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs16.3nC @ 10V
Vgs(最大)±16V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1220pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)29W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PG-TO252-3-11
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

19mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

80nC @ 4.5V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7800pF @ 6V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

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功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

0.75mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

181nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

12168pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.2W (Ta), 167W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.2Ohm @ 1.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

230pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 30W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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