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IPD50R280CEBTMA1

IPD50R280CEBTMA1

僅供參考

型號 IPD50R280CEBTMA1
PNEDA編號 IPD50R280CEBTMA1
描述 MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO252
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,236
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPD50R280CEBTMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPD50R280CEBTMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IPD50R280CEBTMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)13A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)13V
Rds On(Max)@ Id,Vgs280mOhm @ 4.2A, 13V
Vgs(th)(最大)@ ID3.5V @ 350µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs32.6nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds773pF @ 100V
FET功能Super Junction
功耗(最大值)92W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PG-TO252-3
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.4mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

75nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2040pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

5W (Ta), 34.7W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.7mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

220nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

12500pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.65W (Ta), 90W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

22A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3mOhm @ 21A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

66nC @ 10V

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4225pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 65W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

110mA (Tj)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

3V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15Ohm @ 200mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

110pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

360mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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