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IPD95R450P7ATMA1

IPD95R450P7ATMA1

僅供參考

型號 IPD95R450P7ATMA1
PNEDA編號 IPD95R450P7ATMA1
描述 MOSFET N-CH 950V 14A TO252
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,254
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPD95R450P7ATMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPD95R450P7ATMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IPD95R450P7ATMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolMOS™ P7
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)950V
電流-25°C時的連續漏極(Id)14A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs450mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.5V @ 360µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs35nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1053pF @ 400V
FET功能-
功耗(最大值)104W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PG-TO252-3
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 3.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

750pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

630mW (Ta)

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.6Ohm @ 1.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

110pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

38W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

104A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 54A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

130nC @ 5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 200W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

24A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

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