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IPD95R750P7ATMA1

IPD95R750P7ATMA1

僅供參考

型號 IPD95R750P7ATMA1
PNEDA編號 IPD95R750P7ATMA1
描述 MOSFET N-CH 950V 9A TO252
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,590
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPD95R750P7ATMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPD95R750P7ATMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IPD95R750P7ATMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolMOS™ P7
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)950V
電流-25°C時的連續漏極(Id)9A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs750mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.5V @ 220µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs23nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds712pF @ 400V
FET功能-
功耗(最大值)73W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PG-TO252-3
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

190mOhm @ 7.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

34nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.5Ohm @ 580mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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