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IPF04N03LA G

IPF04N03LA G

僅供參考

型號 IPF04N03LA G
PNEDA編號 IPF04N03LA-G
描述 MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,204
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPF04N03LA G資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPF04N03LA G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IPF04N03LA G, IPF04N03LA G數據表 (總頁數: 12, 大小: 529.28 KB)
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IPF04N03LA G規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)25V
電流-25°C時的連續漏極(Id)50A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 30µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs41nC @ 5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5199pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)115W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝P-TO252-3
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.3mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

113nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1Ohm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

160nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4700pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 50A

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

583W (Tc)

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

500mOhm @ 3A, 0V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

96nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2800pF @ 25V

FET功能

Depletion Mode

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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