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IPG16N10S461ATMA1

IPG16N10S461ATMA1

僅供參考

型號 IPG16N10S461ATMA1
PNEDA編號 IPG16N10S461ATMA1
描述 MOSFET 2N-CH 8TDSON
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,128
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 24 - 十二月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPG16N10S461ATMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPG16N10S461ATMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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IPG16N10S461ATMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)16A
Rds On(Max)@ Id,Vgs61mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.5V @ 9µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs7nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds490pF @ 25V
功率-最大29W
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerVDFN
供應商設備包裝PG-TDSON-8-4

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15.7nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2110pF @ 25V

功率-最大

53W

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

880mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

400mOhm @ 880mA, 2.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

750mV @ 1.6µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.26nC @ 2.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

78pF @ 10V

功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

35V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

34mOhm @ 4.6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23.1nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1003pF @ 6V

功率-最大

1.36W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

32.4mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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