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IPG20N04S408AATMA1

IPG20N04S408AATMA1

僅供參考

型號 IPG20N04S408AATMA1
PNEDA編號 IPG20N04S408AATMA1
描述 MOSFET 2N-CH 8TDSON
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,986
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPG20N04S408AATMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPG20N04S408AATMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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IPG20N04S408AATMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)20A
Rds On(Max)@ Id,Vgs7.6mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 30µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs36nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2940pF @ 25V
功率-最大65W
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount, Wettable Flank
包裝/箱8-PowerVDFN
供應商設備包裝PG-TDSON-8-10

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

150mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

320pF @ 16V

功率-最大

600mW

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

14A, 11A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13.2mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

920pF @ 15V

功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

340mA, 235mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6Ohm @ 170mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.24nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

102pF @ 50V

功率-最大

1.6W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

55mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

44nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1580pF @ 30V

功率-最大

1.8W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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