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IPG20N06S3L-23

IPG20N06S3L-23

僅供參考

型號 IPG20N06S3L-23
PNEDA編號 IPG20N06S3L-23
描述 MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,642
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPG20N06S3L-23資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPG20N06S3L-23
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
IPG20N06S3L-23, IPG20N06S3L-23數據表 (總頁數: 9, 大小: 163.24 KB)
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  • IPG20N06S3L-23 Distributor

IPG20N06S3L-23規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)55V
電流-25°C時的連續漏極(Id)20A
Rds On(Max)@ Id,Vgs23mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.2V @ 20µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs42nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2950pF @ 25V
功率-最大45W
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerVDFN
供應商設備包裝PG-TDSON-8-4

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.5mOhm @ 20A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 7mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.5nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7600pF @ 40V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 6A, 10V, 19mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V, 15nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1390pF @ 25V, 650pF @ 25V

功率-最大

48W

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

32pF @ 30V

功率-最大

320mW

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.5A, 4.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

33mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

960pF @ 25V

功率-最大

1.38W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 4.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

600mV @ 250µA (Min)

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25nC @ 4.5V

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