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IPG20N06S4L14AATMA1

IPG20N06S4L14AATMA1

僅供參考

型號 IPG20N06S4L14AATMA1
PNEDA編號 IPG20N06S4L14AATMA1
描述 MOSFET 2N-CH 8TDSON
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,038
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPG20N06S4L14AATMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPG20N06S4L14AATMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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IPG20N06S4L14AATMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)20A
Rds On(Max)@ Id,Vgs13.7mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.2V @ 20µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs39nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2890pF @ 25V
功率-最大50W
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount, Wettable Flank
包裝/箱8-PowerVDFN
供應商設備包裝PG-TDSON-8-10

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HEXFET®

FET類型

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.8A, 4.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

27mOhm @ 6.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 10µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A, 7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1190pF @ 10V

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

420pF @ 30V

功率-最大

1W

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功率-最大

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