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IPI22N03S4L15AKSA1

IPI22N03S4L15AKSA1

僅供參考

型號 IPI22N03S4L15AKSA1
PNEDA編號 IPI22N03S4L15AKSA1
描述 MOSFET N-CH 30V 22A TO262-3
制造商 Infineon Technologies
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庫存 8,478
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 9 - 二月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPI22N03S4L15AKSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPI22N03S4L15AKSA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IPI22N03S4L15AKSA1, IPI22N03S4L15AKSA1數據表 (總頁數: 9, 大小: 188.46 KB)
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IPI22N03S4L15AKSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)22A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs14.9mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.2V @ 10µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs14nC @ 10V
Vgs(最大)±16V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds980pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)31W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PG-TO262-3
包裝/箱TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.6mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

51nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2848pF @ 40V

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

540mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 400µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

590pF @ 300V

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功耗(最大值)

30W (Tc)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

94mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

61A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.8V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12.5mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 4.5V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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