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IPI80N04S204AKSA2

IPI80N04S204AKSA2

僅供參考

型號 IPI80N04S204AKSA2
PNEDA編號 IPI80N04S204AKSA2
描述 MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,456
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 29 - 十二月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPI80N04S204AKSA2資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPI80N04S204AKSA2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IPI80N04S204AKSA2, IPI80N04S204AKSA2數據表 (總頁數: 8, 大小: 159.66 KB)
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IPI80N04S204AKSA2規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)80A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs170nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5300pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)300W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PG-TO262-3-1
包裝/箱TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

18A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.5mOhm @ 15A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

60nC @ 5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5500pF @ 16V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta)

工作溫度

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安裝類型

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6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.25Ohm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

800pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

40W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

37mOhm @ 5.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

640pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta), 3.2W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.7V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

350mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.5nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

60pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

630mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.4mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±22V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1500pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta), 50W (Tc)

工作溫度

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