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IPL60R255P6AUMA1

IPL60R255P6AUMA1

僅供參考

型號 IPL60R255P6AUMA1
PNEDA編號 IPL60R255P6AUMA1
描述 MOSFET N-CH 600V 4VSON
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,770
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPL60R255P6AUMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPL60R255P6AUMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IPL60R255P6AUMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolMOS™ P6
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)15.9A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs255mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 530µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs31nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1450pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)126W (Tc)
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PG-VSON-4
包裝/箱4-PowerTSFN

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

115mOhm @ 3.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

600pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

67A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

38mOhm @ 33.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

225nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6120pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

370W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12.6mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3600pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

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Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

85mOhm @ 27.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

195nC @ 10V

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