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IPL65R130C7AUMA1

IPL65R130C7AUMA1

僅供參考

型號 IPL65R130C7AUMA1
PNEDA編號 IPL65R130C7AUMA1
描述 MOSFET N-CH 650V 15A 4VSON
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 29,676
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 24 - 一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPL65R130C7AUMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPL65R130C7AUMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IPL65R130C7AUMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolMOS™ C7
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)650V
電流-25°C時的連續漏極(Id)15A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs130mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 440µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs35nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1670pF @ 400V
FET功能-
功耗(最大值)102W (Tc)
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PG-VSON-4
包裝/箱4-PowerTSFN

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

38A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

39mOhm @ 19A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

80nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4360pF @ 20V

FET功能

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功耗(最大值)

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40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1920pF @ 20V

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-

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

195A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.8mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 150µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

225nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7330pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

230W (Tc)

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100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

150mOhm @ 2.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26.9nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

2.17W (Ta)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.5mOhm @ 15A, 10V

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-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 120W (Tc)

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安裝類型

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