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IPN70R450P7SATMA1

IPN70R450P7SATMA1

僅供參考

型號 IPN70R450P7SATMA1
PNEDA編號 IPN70R450P7SATMA1
描述 COOLMOS P7 700V SOT-223
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,526
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPN70R450P7SATMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPN70R450P7SATMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IPN70R450P7SATMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolMOS™ P7
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)700V
電流-25°C時的連續漏極(Id)10A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs450mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.5V @ 120µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs13.1nC @ 10V
Vgs(最大)±16V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds424pF @ 400V
FET功能-
功耗(最大值)7.1W (Tc)
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PG-SOT223
包裝/箱TO-261-3

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Infineon Technologies

系列

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

14A (Ta), 68A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7mOhm @ 41A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.9V @ 150µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

53nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2170pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 63W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

250V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

95mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

40W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

供應商設備包裝

-

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-

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ON Semiconductor

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

32mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

950pF @ 24V

FET功能

Schottky Diode (Isolated)

功耗(最大值)

-

工作溫度

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Vgs(th)(最大)@ ID

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Vgs(最大)

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