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IPP020N06NAKSA1

IPP020N06NAKSA1

僅供參考

型號 IPP020N06NAKSA1
PNEDA編號 IPP020N06NAKSA1
描述 MOSFET N-CH 60V 29A TO220-3
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 18,732
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPP020N06NAKSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPP020N06NAKSA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IPP020N06NAKSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)29A (Ta), 120A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)6V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.8V @ 143µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs106nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds7800pF @ 30V
FET功能-
功耗(最大值)3W (Ta), 214W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PG-TO220-3
包裝/箱TO-220-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

550mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2100pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

50W (Tc)

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-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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200A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.8mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

310nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

17350pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

680mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

46nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1200pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta), 40W (Tc)

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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12A

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1988pF @ 30V

FET功能

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功耗(最大值)

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