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IPP055N03LGXKSA1

IPP055N03LGXKSA1

僅供參考

型號 IPP055N03LGXKSA1
PNEDA編號 IPP055N03LGXKSA1
描述 MOSFET N-CH 30V 50A TO-220-3
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 9,048
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 29 - 二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPP055N03LGXKSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPP055N03LGXKSA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IPP055N03LGXKSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)50A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs5.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs31nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3200pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)68W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PG-TO220-3
包裝/箱TO-220-3

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漏極至源極電壓(Vdss)

50V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

500mOhm @ 2.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.1nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

240pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

25W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

53.7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

64nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2130pF @ 75V

FET功能

-

功耗(最大值)

6.25W (Ta), 104W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

500mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.3Ohm @ 50mA, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 20µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.044nC @ 5V

Vgs(最大)

+6V, -4V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8.4pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

24A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

200mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

85nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4310pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

270W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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