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IPP100N06S3-03

IPP100N06S3-03

僅供參考

型號 IPP100N06S3-03
PNEDA編號 IPP100N06S3-03
描述 MOSFET N-CH 55V 100A TO-220
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,670
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPP100N06S3-03資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPP100N06S3-03
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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IPP100N06S3-03規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)55V
電流-25°C時的連續漏極(Id)100A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.3mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 230µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs480nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds21620pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)300W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PG-TO220-3-1
包裝/箱TO-220-3

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.6mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

350nC @ 13V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14100pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

500mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

89nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2750pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

190W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

36.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1940pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

59mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 200µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

600pF @ 75V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.6W (Ta), 42W (Tc)

工作溫度

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.8mOhm @ 90A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

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Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

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