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IPP120N04S401AKSA1

IPP120N04S401AKSA1

僅供參考

型號 IPP120N04S401AKSA1
PNEDA編號 IPP120N04S401AKSA1
描述 MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3-1
制造商 Infineon Technologies
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庫存 8,946
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPP120N04S401AKSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPP120N04S401AKSA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IPP120N04S401AKSA1, IPP120N04S401AKSA1數據表 (總頁數: 9, 大小: 159.05 KB)
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IPP120N04S401AKSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)120A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 140µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs176nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds14000pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)188W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PG-TO220-3-1
包裝/箱TO-220-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

160mOhm @ 2.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.77nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

225pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

10.42W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

32mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

840pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

4.1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

378mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

590pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

110W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

24A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

185mOhm @ 11.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 750µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1850pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

245W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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2.3mOhm @ 81A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

81nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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