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IPP120N06S402AKSA1

IPP120N06S402AKSA1

僅供參考

型號 IPP120N06S402AKSA1
PNEDA編號 IPP120N06S402AKSA1
描述 MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
制造商 Infineon Technologies
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庫存 4,536
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPP120N06S402AKSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPP120N06S402AKSA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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IPP120N06S402AKSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)120A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.8mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 140µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs195nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds15750pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)188W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PG-TO220-3-1
包裝/箱TO-220-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

350mOhm @ 3.65A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

290pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

40W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220-3

包裝/箱

TO-220-3

制造商

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系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

4500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40Ohm @ 50mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

88nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3300pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

960W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

250V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

19A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

46mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4480pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

46W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220AB

包裝/箱

TO-220-3

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Infineon Technologies

制造商

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系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

195A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.4mOhm @ 165A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

140nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

11210pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

380W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

31mOhm @ 34A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 150µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

3.6W (Ta), 156W (Tc)

工作溫度

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